三星與ASML達成協議：采購下壹代High-NAEUV光刻機
報道稱，李在_於6月14日(當地時間)在荷蘭ASML總部會見了ASML首席執行官PeterWennink和首席技術官MartinvandenBrink，並就引進今年生產的EUV光刻設備和計劃於明年推出的高數值孔徑(High-NA)EUV光刻設備達成了協議。
High-NAEUV是下壹代光刻設備，與現有的EUV光刻設備相比，可以雕刻出更精細的電路，其被認為是壹個改變遊戲規則的設備，將決定3納米以下代工市場技術競賽的贏家。
High-NAEUV光刻設備的單價估計為5000億韓元(約25.85億元人民幣)，是現有EUV光刻設備的兩倍。
今年早些時候，英特爾宣布已簽署合同購買5臺這種設備，用於在2025年生產1.8納米芯片。臺積電也在6月16日的美國矽谷技術研討會上表示，它將在2024年在全球首次將High-NAEUV光刻設備引入其工藝。
在這場對下壹代EUV光刻設備的爭奪中，三星電子也尋求獲得最新的EUV設備。李在_的歐洲商務之旅主要是為了確保獲得下壹代High-NAEUV光刻設備，以及目前正在生產的最新壹代設備。ASML今年只能生產50臺EUV設備，交貨期為壹年到壹年零六個月。該公司有限的生產能力和較長的交貨期，助長了對High-NAEUV光刻設備的預購競爭。
三星電子將High-NAEUV光刻設備實際應用於其半導體工藝的具體時間還沒有確定。但考慮到交付周期，預計三星電子將在2024年開始實際使用High-NAEUV光刻設備。
壹些行業觀察人士呼籲韓國政府對半導體設施的投資給予更多支持。據報道，三星電子已經獲得了今年計劃生產的55臺EUV光刻設備中的18臺。這意味著，該公司僅在EUV光刻設備上的投資就將超過4萬億韓元(約206.8億元人民幣)。
“如果三星采購10臺High-NAEUV光刻設備，將花費公司超過5萬億韓元(約258.5億元人民幣)，”壹位業內人士說，“有必要擴大政府支持，以增強韓國的國家工業競爭力”。